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单项选择题

CZ法拉不出高阻单晶硅锭的主要原因是（）

A.气相杂质融入熔体再进入了硅锭
B.坩埚材料分解出的氧会进入硅锭
C.多晶硅原料纯度不够高
D.干锅清洗不干净造成

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多项选择题

IC采用铝互连系统时，下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象（）

A.在淀积的铝膜中掺入约1%Si
B.在淀积的铝膜中掺入约1%Cu
C.在铝膜表面覆盖Si₃N₄
D.在淀积铝之前先淀积一薄层TiN薄膜

判断题

在SiO₂/Si刻蚀过程中等离子体对硅的刻蚀速率必须控制在非常低的程度，否则SiO₂被清除的同时硅也大量被侵蚀。

多项选择题

关于光学光刻，下列哪种方法可以获得高分辨率（）

A.光源为紫光
B.使用移相掩膜技术制备的光刻版
C.采取浸入式光刻方法
D.驻波效应对分辨率无影响

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