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多项选择题

IC采用铝互连系统时，下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象（）

A.在淀积的铝膜中掺入约1%Si
B.在淀积的铝膜中掺入约1%Cu
C.在铝膜表面覆盖Si₃N₄
D.在淀积铝之前先淀积一薄层TiN薄膜

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在SiO₂/Si刻蚀过程中等离子体对硅的刻蚀速率必须控制在非常低的程度，否则SiO₂被清除的同时硅也大量被侵蚀。

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关于光学光刻，下列哪种方法可以获得高分辨率（）

A.光源为紫光
B.使用移相掩膜技术制备的光刻版
C.采取浸入式光刻方法
D.驻波效应对分辨率无影响

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溅射与蒸镀比较，下列那种说法正确（）

A.蒸镀工艺的普适性更好
B.溅射工艺的普适性更好
C.溅射工艺薄膜质量（如粘附性、保形性等）更好
D.蒸镀工艺薄膜质量（如粘附性、保形性等）更好

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