欢迎来到牛牛题库网 牛牛题库官网
logo
搜索
全部科目 > 大学试题 > 工学 > 电子与通信技术 > 半导体物理

多项选择题

‌当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有（）

A.多子反型
B.少子耗尽
C.多子积累
D.少子反型

点击查看答案&解析
上一题 目录 下一题

相关考题

多项选择题
‍理想MIS结构必须满足的条件有（）

A.绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电
B.绝缘层材料为二氧化硅
C.半导体必须为本征半导体
D.金属与半导体的功函数差为零
单项选择题
‏一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为NA=1.5×1015cm-3。当氧化层厚度为0.1μm时，阈值电压为1.1V，则当氧化层厚度为0.2μm时的阈值电压为（）V。

A.0.55
B.2.2
C.2.8
D.1.6
单项选择题
半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度（）。

A.增加
B.无法判断
C.减小
D.不变
微信小程序免费搜题

All Rights Reserved 版权所有©牛牛题库网(nntiku.com)

备案号：湘ICP备2022003000号-1

微信扫一扫,加关注免费搜题

微信扫一扫,加关注免费搜题