填空题
已知在硅中的某位置，扩散作用可忽略，在电场作用下，电子漂移电流密度是空穴漂移电流密度的2倍，且假设电子迁移率是空穴迁移率的3倍，则在该位置的净载流子浓度为（）。（填“正”或“负”或“零”）
【参考答案】
正
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