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填空题
对于掺杂浓度较高的硅、锗半导体，温度很低时，（）散射起主要作用。
【参考答案】
电离杂质
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相关考题
单项选择题
对于由P型半导体构成的理想的MIS结构，当半导体表面少子浓度是体内多子浓度的2倍时，表明此时表面为（）状态。
A.多子积累
B.平带
C.弱反型
D.强反型
单项选择题
设几种半导体的本征性质相同，在μ
n
＞μ
p
的情况下，则（）半导体电导率将取得最小值。
A.n型
B.p型
C.本征
D.无法判断
单项选择题
对于硅锗半导体，若其体内某处的电场从1×10
5
V/cm降低至1×10
3
V/cm，则其电子迁移率将（）。
A.增大
B.不变
C.减小
D.无法判断
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