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填空题
对于硅半导体，当施主杂质能级与费米能级重合时，则未电离施主杂质与已电离施主杂质的比值为（）。
【参考答案】
2
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填空题
一块半导体材料，当光照在材料中被均匀吸收且产生非平衡载流子，已知当光照突然停止20微秒时，其中非平衡载流子衰减至停止前的e
-2
倍，则该半导体材料的寿命为（）微秒。
填空题
对于掺杂浓度较高的硅、锗半导体，温度很低时，（）散射起主要作用。
单项选择题
对于由P型半导体构成的理想的MIS结构，当半导体表面少子浓度是体内多子浓度的2倍时，表明此时表面为（）状态。
A.多子积累
B.平带
C.弱反型
D.强反型
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