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单项选择题

关于硅的热氧化，下面哪种说法正确？（）

A.湿氧比干氧慢得多
B.氧化反应是在Si/SiO2界面发生的
C.水汽氧化层比干氧氧化层致密
D.升高氧气（或水汽）分压不影响生长速率

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A.局部场氧化
B.浅槽隔离
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