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多项选择题

对多晶硅薄膜的研究重点目前主要有（）。

A.制备电池的工艺和方法，以便选用低价优质的衬底材料
B.如何在廉价的衬底上，能够高速、高质量地生长多晶硅薄膜
C.掺杂气体的选择
D.热处理温度的选择

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多项选择题
常用的多晶硅薄膜的制备方法有（）。

A.非晶硅晶化制备
B.将多晶硅片切薄
C.利用化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜
D.对多晶硅片进行热处理
单项选择题
PECVD主要利用的是（）区域。

A.正离子柱区
B.法拉第暗区
C.阳极辉光
D.阴极辉光
单项选择题
PECVD所使用的主要原料是（）。

A.SiHCl3
B.SiO2
C.Si
D.SiH4
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