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全部科目 > 通信电子计算机技能考试 > 集成电路制造工艺员 > 集成电路制造工艺员（三级）

单项选择题

兼具有各向异性刻蚀的优点，又有可接受的选择比的刻蚀方法是（）。

A.湿法刻蚀
B.溅射刻蚀
C.等离子体刻蚀
D.反应离子刻蚀

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单项选择题
假设光刻胶的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度为4000块，如果要求经过30秒的刻蚀后，厚度变为1400埃，那么这个过程中刻蚀速率是（）埃/分钟。

A.5200
B.1200
C.9200
D.8000
单项选择题
通过分析刻蚀前后刻蚀腔内的成分来判断是否达到终点的终点检测方法是（）

A.发射光谱法
B.干涉测量法
C.质谱分析法
D.椭圆偏振发
单项选择题
刻蚀氮化硅薄膜时，可以用加热的磷酸进行刻蚀，此时的温度一般设置在（）

A.70～100℃
B.130～150℃
C.150～170℃
D.170～200℃
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