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全部科目 > 通信电子计算机技能考试 > 集成电路制造工艺员 > 集成电路制造工艺员（三级）

单项选择题

为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

A.多晶硅
B.单晶硅
C.铝硅铜合金
D.铜

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单项选择题
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。

A.等离子体刻蚀
B.反应离子刻蚀
C.湿法刻蚀
D.溅射刻蚀
单项选择题
溅镀法，因为其阶梯覆盖的能力不良，很容易造成因填缝不完全所留下的（）。

A.鸟嘴
B.空洞
C.裂痕
D.位错
单项选择题
不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。
A.CHF3
B.C2F6
C.C3F8
D.HF
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