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集成电路制造工艺员（三级）
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单项选择题
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。
A.等离子体刻蚀
B.反应离子刻蚀
C.湿法刻蚀
D.溅射刻蚀
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相关考题
单项选择题
溅镀法，因为其阶梯覆盖的能力不良，很容易造成因填缝不完全所留下的（）。
A.鸟嘴
B.空洞
C.裂痕
D.位错
单项选择题
不可以对SiO
2
进行干法刻蚀所使用的气体是（）。
A.CHF
3
B.C
2
F
6
C.C
3
F
8
D.HF
单项选择题
大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。
A.薄膜厚度
B.图形宽度
C.图形长度
D.图形间隔
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