填空题

用C-V测试可以测定二氧化硅薄膜的：（）

【参考答案】

界面态密度、可动电荷密度和固定电荷密度

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填空题

填空题

填空题

Si衬底上热氧化的机理由（）模型确定。氧化反应的快慢与三个因素有关，即：（）。氧化层厚度的理论计算公式为：式中A、B为与扩散率成正比的常数，τ为由（）决定的时间修正系数。