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多项选择题

发明集成电路的公司有（）。

A.英伟达
B.仙童半导体
C.英特尔
D.德州仪器

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单项选择题
麒麟980芯片采用的工艺水平是（）。

A.10nm
B.5nm
C.7nm
D.9nm
单项选择题
‍形成B的超浅结掺杂（剂量为QB）时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？实际注入了多少硼？（）

A.可以，实际注硼：QB
B.不可以
C.可以，实际注硼：QB+QSb
D.可以，实际注硼：QB-QSb
单项选择题
在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是（）。当偏离晶向（）ψc注入时，可以避免。

A.横向效应，>
B.横向效应，<
C.沟道效应，<
D.沟道效应，>
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