单项选择题

麒麟980芯片采用的工艺水平是（）。

A.10nm
B.5nm
C.7nm
D.9nm

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单项选择题

A.可以，实际注硼：QB
B.不可以
C.可以，实际注硼：QB+QSb
D.可以，实际注硼：QB-QSb

单项选择题

A.横向效应，>
B.横向效应，<
C.沟道效应，<
D.沟道效应，>

多项选择题

A.有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
B.生长十几nm厚的栅氧化层时，服从线性氧化速率
C.温度升高氧化速率迅速增加
D.（111）硅比（100）硅氧化得快

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