由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

A.二氧化硅
B.氮化硅
C.光刻胶
D.去离子水

A.MOS栅极
B.保护性元件
C.电容器极板
D.制造只读存储器PROM
E.晶圆背面电镀

A.铜的电阻率比铝小
B.铝的熔点较高
C.铝的抗电迁移能力较弱
D.铜与硅的接触电阻较小
E.铜可以在低温下淀积