刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。

A.MOS栅极
B.保护性元件
C.电容器极板
D.制造只读存储器PROM
E.晶圆背面电镀

A.铜的电阻率比铝小
B.铝的熔点较高
C.铝的抗电迁移能力较弱
D.铜与硅的接触电阻较小
E.铜可以在低温下淀积

A.电阻低
B.抗电迁移特性好
C.对硅氧化物有很好的黏合性
D.有很高的纯度
E.易于光刻