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单项选择题

液态TEOS源是采用载流气体鼓泡方式携带，例如N₂、O₂、He，而P1102.TEOS工艺是采用（）进入反应炉。

A.N₂
B.O₂
C.He
D.水浴饱和蒸汽

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单项选择题

下列哪种工艺会使用到RF？（）

A.电镀
B.SOG
C.APCVD
D.PECVD

单项选择题

在硅片加工中可以接受的膜，以下不具备需要的膜特征（）

A.好的台阶覆盖能力
B.填充高的深宽比间隙的能力
C.好的厚度均匀性
D.高的膜应力

单项选择题

蒸发台以下哪项参数对膜厚影响最大（）

A.行星架转速
B.加热温度
C.熔源时间
D.tooling值

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