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多项选择题

‎对非光学曝光表述正确的是（）。

A.X-射线是非光学曝光
B.电子束是非光学曝光
C.非光学曝光都不需要光刻版
D.EUV是非光学曝光

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对移相掩膜（PSM）表述正确的是（）。

A.使光通过后产生180度相位差
B.提高分辨率
C.消除了图形边缘的衍射
多项选择题
对正性光刻胶特性表述正确的是（）。

A.分辨率高
B.显影时曝光部分不溶解，未曝光部分溶解
C.分辨率低
D.显影时曝光部分溶解，未曝光部分不溶解
多项选择题
‏提高光刻分辨率的途径有（）。

A.增大数值孔径NA
B.增大曝光波长
C.减小曝光波长
D.减小数值孔径NA
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