多项选择题
A、离子源B、吸引电极和质量分析器C、加速管D、扫描系统和终端靶室
A、注入时间B、工作温度C、注入能量D、注入剂量
A、偏转注入或倾斜硅片B、在衬底表面制作掩膜氧化薄层(非结晶材料)，使入射离子进入硅晶体前无序化C、提高离子注入的速度D、衬底的预非晶化处理(破坏表面结晶层)
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