问答题
计算题
已知硅p+n结n区电阻率为1Ω·cm，求pn结的雪崩击穿电压，击穿时的耗尽区宽度和最大电场强度。（硅pn结Ci=8.45×10-36cm-1，锗pn结Ci=6.25×10-34cm-1）
【参考答案】
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