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问答题

计算题

硅npn晶体管的材料参数和结构如下：

计算晶体管的发射结注入效率γ，基区输运系数α_T，V_BE=0.55V，计算复合系数δ，并由此计算晶体管的共发射极电流放大系数β。

【参考答案】

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问答题

已知硅p⁺n结n区电阻率为1Ω·cm，求pn结的雪崩击穿电压，击穿时的耗尽区宽度和最大电场强度。（硅pn结C_i=8.45×10^-36cm^-1，锗pn结C_i=6.25×10^-34cm^-1）

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