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单项选择题

干-湿-干氧化过程中，第一次干氧氧化的目的是（）

A.形成所需的二氧化硅膜厚
B.获得致密的二氧化硅表面
C.提高二氧化硅和光刻胶的黏附性
D.改善二氧化硅和硅交界面的性能

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C.钛、钽、铝、铜、金
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物理汽相淀积的英文缩写是（）

A.VPE
B.CVD
C.PVD
D.LASER
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