单项选择题
在制备完好的单晶衬底上，延其原来晶向，生长一层厚度、导电类型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层，该薄膜制备方法是（）
A.外延
B.热氧化
C.PVD
D.CVD
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单项选择题
A.外延
B.热氧化
C.PVD
D.CVD
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