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全部科目 > 通信电子计算机技能考试 > 集成电路制造工艺员 > 集成电路制造工艺员（三级）

多项选择题

在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。

A.晶圆顶层的保护层
B.多层金属的介质层
C.多晶硅与金属之间的绝缘层
D.掺杂阻挡层
E.晶圆片上器件之间的隔离

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多项选择题
在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。

A.使薄膜的介电常数变大
B.可能引入杂质
C.可能使薄膜层间短路
D.使薄膜介电常数变小
E.可能使薄膜厚度增加
多项选择题
在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。

A.均匀性
B.表面平整度
C.自由应力
D.纯净度
E.电容
单项选择题
为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染，可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。

A.液氮冷阱
B.净化阱
C.抽气阱
D.无气泵
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