问答题
简答题
室温下，n型硅样品中，掺杂浓度ND=1016cm-3。光均匀照射Si样品上，电子-空穴对的产生率为1.25×1020cm-3s-1，样品寿命为8μs。计算无光照和有光照的电导率。其中，已知q=1.6×10-19C
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