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全部科目 > 通信电子计算机技能考试 > 集成电路制造工艺员 > 集成电路制造工艺员（三级）

单项选择题

晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

A.n型掺杂区
B.P型掺杂区
C.栅氧化层
D.场氧化层

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单项选择题
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

A.二氧化硅
B.氮化硅
C.单晶硅
D.多晶硅
单项选择题
请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称：（）。
A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide
单项选择题
请在下列选项中选出硅化金属的英文简称：（）。
A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide
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