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全部科目 > 通信电子计算机技能考试 > 集成电路制造工艺员 > 集成电路制造工艺员（三级）

单项选择题

多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

A.二氧化硅
B.氮化硅
C.单晶硅
D.多晶硅

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单项选择题
请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称：（）。
A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide
单项选择题
请在下列选项中选出硅化金属的英文简称：（）。
A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide
单项选择题
单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。

A.氮化硅
B.二氧化硅
C.光刻胶
D.多晶硅
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