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单项选择题
请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称：（）。
A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide
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单项选择题
请在下列选项中选出硅化金属的英文简称：（）。
A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide
单项选择题
单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。
A.氮化硅
B.二氧化硅
C.光刻胶
D.多晶硅
单项选择题
在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体
A.栅氧化层
B.沟槽
C.势垒
D.场氧化层
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