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多项选择题

CVD制备SiO2的方法有（）。

A.中温LPCVD
B.低温APCVD
C.低温PECVD
D.低温LPCVD

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B.晶粒尺寸大的薄膜电阻率小
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D.电阻率远高于单晶硅
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B.可淀积Si3N4等
C.台阶覆盖好
D.反应控制
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