多项选择题
A.湿法刻蚀B.干法刻蚀C.各向同性刻蚀D.各向异性刻蚀
A.氮化硅用常压CVD工艺B.氧化层用CVD工艺C.氮化硅用低压CVD工艺D.氧化层用热氧化工艺
A.浅槽隔离工艺B.铝栅工艺C.多晶硅栅工艺D.硅外延片衬底
A.光刻版的精度和良率高B.可分步重复曝光C.减小了尘埃的影响D.套刻精度高
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