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问答题
案例分析题用强光照射n型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为，空穴寿命为τ。
写出光照下过剩载流子所满足的方程
【参考答案】
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问答题
在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为10
13
cm
-3
， 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。已知：
求：U=？
问答题
在忽略界面态影响的情况下，可用什么实验方法测量MIS结构的绝缘层中的可动电荷，说明实验步骤和计算依据。
问答题
若费米能级E
F
=5eV，利用费米函数计算在什么温度下电子占据E=5.5eV能级的几率为1%？计算在该温度下电子分布几率从0.1～0.9所对应的能量区间。
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