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单项选择题

‏对于由P型半导体构成的理想的MIS结构，当半导体表面少子浓度是体内多子浓度的2倍时，表明此时表面为（）状态。

A.多子积累
B.平带
C.弱反型
D.强反型

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单项选择题

设几种半导体的本征性质相同，在μ_n＞μ_p的情况下，则（）半导体电导率将取得最小值。

A.n型
B.p型
C.本征
D.无法判断

单项选择题

‌对于硅锗半导体，若其体内某处的电场从1×10⁵V/cm降低至1×10³V/cm，则其电子迁移率将（）。

A.增大
B.不变
C.减小
D.无法判断

单项选择题

‌空穴的扩散电流的方向，与（）相反。

A.空穴扩散的方向
B.空穴浓度梯度方向
C.空穴浓度逆梯度方向
D.电场方向

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