多项选择题
A.电阻低 B.抗电迁移特性好 C.对硅氧化物有很好的黏合性 D.有很高的纯度 E.易于光刻
A.铝 B.铜 C.多晶硅 D.金
A.晶圆顶层的保护层 B.多层金属的介质层 C.多晶硅与金属之间的绝缘层 D.掺杂阻挡层 E.晶圆片上器件之间的隔离
A.使薄膜的介电常数变大 B.可能引入杂质 C.可能使薄膜层间短路 D.使薄膜介电常数变小 E.可能使薄膜厚度增加
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