单项选择题

刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。

A. 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状
B. 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
C. 变成刻蚀介质以形成一个凹槽
D. 在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用

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单项选择题

A.增大光源波长；
B.减小光源波长；
C.减小光学系统数值孔径；
D.增大光学系统数值孔径。

单项选择题

A. 诱生电荷
B. 鸟嘴效应
C. 陷阱电荷
D. 可移动电荷

多项选择题

A.高电阻率；
B.高化学稳定性；
C.低介电常数；
D.高介电强度。