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多项选择题

对于CMOS晶体管，要得到良好受控的阈值电压，需要控制（）等工艺参数。

A.氧化层厚度；
B.沟道中掺杂浓度；
C.金属半导体功函数；
D.氧化层电荷。

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单项选择题

离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有（）。

A. 电活性
B. 晶格损伤
C. 横向效应
D. 沟道效应

单项选择题

杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

A. 激活杂质后
B. 一种物质在另一种物质中的运动
C. 预淀积
D. 高温多步退火

单项选择题

刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。

A. 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状
B. 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
C. 变成刻蚀介质以形成一个凹槽
D. 在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用

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