单项选择题
A.降低少子复合寿命B.降低电源电压C.缩小器件尺寸D.减小衬底/阱的体电阻
A.E-R MOS（电阻型负载）B.E-E MOSC.E-D MOSD.无法确定
A.沟道区同时存在产生电流和复合电流，但可相互抵消B.沟道区既不存在产生电流，也不存在复合电流C.沟道区存在复合电流D.沟道区存在产生电流
A.Wm< WsB.向沟道区掺入BC.衬源间施加负偏压D.增加SiO2层的厚度
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