单项选择题

‏开关速度最快的MOS反相器是（）。

A.E-R MOS（电阻型负载）
B.E-E MOS
C.E-D MOS
D.无法确定

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单项选择题

A.沟道区同时存在产生电流和复合电流，但可相互抵消
B.沟道区既不存在产生电流，也不存在复合电流
C.沟道区存在复合电流
D.沟道区存在产生电流

单项选择题

A.W_m< W_s
B.向沟道区掺入B
C.衬源间施加负偏压
D.增加SiO₂层的厚度

单项选择题

A.半导体表面附近的空穴数量变化跟不上信号变化
B.半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化
C.半导体发生了深耗尽
D.半导体表面附近的电子不能产生