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单项选择题
硅片抛光在原理上不可分为（）
A.机械抛光法
B.化学抛光法
C.手工抛光法
D.机械--化学抛光法
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单项选择题
可用作硅片的研磨材料是（）
A.AL2O3
B.MGO
C.BA2O3
D.NACL
单项选择题
热处理中氧沉淀的形态不包括（）
A.球状沉淀
B.片状沉淀
C.棒状沉淀
D.多面体沉淀
单项选择题
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是（）
A.加料--熔化--缩颈生长--等径生长--放肩生长--收尾
B.加料--熔化--缩颈生长--放肩生长--等径生长--收尾
C.加料--熔化--等径生长-放肩生长--缩颈生长--收尾
D.加料--熔化--等径生长长--缩颈生长--放肩生长--收尾
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