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单项选择题
可用作硅片的研磨材料是（）
A.AL2O3
B.MGO
C.BA2O3
D.NACL
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单项选择题
热处理中氧沉淀的形态不包括（）
A.球状沉淀
B.片状沉淀
C.棒状沉淀
D.多面体沉淀
单项选择题
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是（）
A.加料--熔化--缩颈生长--等径生长--放肩生长--收尾
B.加料--熔化--缩颈生长--放肩生长--等径生长--收尾
C.加料--熔化--等径生长-放肩生长--缩颈生长--收尾
D.加料--熔化--等径生长长--缩颈生长--放肩生长--收尾
单项选择题
悬浮区熔的优点不包括（）
A.不需要坩埚
B.避免了容器污染
C.更易获得高纯度硅
D.成本低
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