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全部科目 > 通信电子计算机技能考试 > 集成电路制造工艺员 > 集成电路制造工艺员（三级）

多项选择题

离子注入的主要气体源中，剧毒的有（）。

A.砷化氢
B.二硼化氢
C.四氟化硅
D.三氟化磷
E.五氟化磷

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单项选择题
离子注入装置的主要部件有（）、分析器、加速聚焦系统等。

A.中子源
B.离子源
C.电子源
D.质子源
单项选择题
早期，研究离子注入技术是用（）来进行的。

A.重离子加速器
B.热扩散炉
C.质子分析仪
D.轻离子分析器
单项选择题
（）的气体源中一般包含H+，C+，B+，Cl+，O+等离子。

A.Cl2
B.BCl3
C.CO2
D.H2
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