单项选择题
A.CVD普适性更好B.PVD薄膜的保形性更好C.CVD工艺温度更低D.PVD薄膜与衬底的粘附性较差
A.空位B.填隙杂质C.自填隙D.替位杂质
A.气相杂质融入熔体再进入了硅锭B.坩埚材料分解出的氧会进入硅锭C.多晶硅原料纯度不够高D.干锅清洗不干净造成
A.在淀积的铝膜中掺入约1%SiB.在淀积的铝膜中掺入约1%CuC.在铝膜表面覆盖Si3N4D.在淀积铝之前先淀积一薄层TiN薄膜
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