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示意画出P型半导体在光照（小注入）前后的能带图，并标出原来的费米能级和光照下的准费米能级。
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问答题
施主浓度N
D
=10
16
cm
-3
的N-Si中，光注入非平衡载流子浓度Δn=Δp=10
14
cm
-3
，计算无光照和有光照时的电导率。已知
问答题
某半导体材料的少子寿命τ=20μs，光照产生了非平衡载流子，试求光照突然停止10μs后，非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？
问答题
在一N-Ge样品中，过剩载流子浓度为10
14
cm
-3
，空穴寿命100μs，计算该样品中空穴的复合率。
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