单项选择题
A.填充塞B.金属连线C.阻挡层D.焊接层
铜电镀之前，需要沿着侧壁和底部，淀积一层连续的薄种子层，若种子层不连续可能导致电镀的铜产生（）A.空洞B.尖刺...
单项选择题铜电镀之前，需要沿着侧壁和底部，淀积一层连续的薄种子层，若种子层不连续可能导致电镀的铜产生（）
A.空洞B.尖刺C.电迁移D.肖特基现象
利用高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面，撞击出的原子最后淀积在硅片上的物理过程是（）A.电阻加热蒸发B.电子束蒸...
单项选择题利用高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面，撞击出的原子最后淀积在硅片上的物理过程是（）
A.电阻加热蒸发B.电子束蒸发C.溅射D.电镀
解决铝尖刺的方法有（）A.在合金化的铝中适当地添加铜B.采用三层夹心结构C.在合金化的铝中适当地添加硅D.采用...
单项选择题解决铝尖刺的方法有（）
A.在合金化的铝中适当地添加铜B.采用三层夹心结构C.在合金化的铝中适当地添加硅D.采用“竹节状”结构
