铜电镀之前，需要沿着侧壁和底部，淀积一层连续的薄种子层，若种子层不连续可能导致电镀的铜产生（）

利用高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面，撞击出的原子最后淀积在硅片上的物理过程是（）A.电阻加热蒸发B.电子束蒸...

单项选择题利用高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面，撞击出的原子最后淀积在硅片上的物理过程是（）

解决铝尖刺的方法有（）A.在合金化的铝中适当地添加铜B.采用三层夹心结构C.在合金化的铝中适当地添加硅D.采用...

单项选择题解决铝尖刺的方法有（）

（）是芯片制造过程中在元器件表面上淀积金属薄膜以及随后刻印图形以使形成互连线和集成电路填充塞的过程。A.刻蚀B...

单项选择题（）是芯片制造过程中在元器件表面上淀积金属薄膜以及随后刻印图形以使形成互连线和集成电路填充塞的过程。