单项选择题
A.正向偏压B.反向偏压C.零偏压D.磁场
若半导体的禁带宽度为3eV，下面哪种光可以产生本征吸收（）A.波长为500mm的光B.波长为600mm的光C....
单项选择题若半导体的禁带宽度为3eV，下面哪种光可以产生本征吸收（）
A.波长为500mm的光B.波长为600mm的光C.波长为550mm的光D.波长为300mm的光
已知一半导体异质结为p-n-A-B，说明（）A.A为p型宽禁带半导体，B为n型窄禁带半导体B.A为p型窄禁带半...
单项选择题已知一半导体异质结为p-n-A-B，说明（）
A.A为p型宽禁带半导体，B为n型窄禁带半导体B.A为p型窄禁带半导体，B为n型宽禁带半导体C.A为n型宽禁带半导体，B为p型窄禁带半导体D.A为n型窄禁带半导体，B为p型宽禁带半导体
考虑理想的金属半导体接触，若金属的功函数为4eV，则下列哪种n型半导体可以与之形成反阻挡层（）A.功函数为3....
单项选择题考虑理想的金属半导体接触，若金属的功函数为4eV，则下列哪种n型半导体可以与之形成反阻挡层（）
A.功函数为3.5eV的半导体B.功函数为3eV的半导体C.功函数为4eV的半导体D.功函数为4.2eV的半导体
