设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路，需要（）、（）、（）、（）、（）、（）等六次光刻。

常规集成电路平面制造工艺主要由（）、（）、（）、（）、（）等工艺手段组成。

填空题常规集成电路平面制造工艺主要由（）、（）、（）、（）、（）等工艺手段组成。

湿法腐蚀的特点是（）、（）、（）、（）。

填空题湿法腐蚀的特点是（）、（）、（）、（）。

湿法腐蚀Si所用溶液有（）、（）等，腐蚀SiO2常用的腐蚀剂是（），腐蚀Si3N4常用的腐蚀剂是（）。

填空题湿法腐蚀Si所用溶液有（）、（）等，腐蚀SiO₂常用的腐蚀剂是（），腐蚀Si₃N₄常用的腐蚀剂是（）。