单项选择题
A.空穴扩散的方向B.空穴浓度梯度方向C.空穴浓度逆梯度方向D.电场方向
金属-绝缘层-p型半导体构成的理想MIS结构，当在半导体上施加一个相对于金属的负电压时，则表面势Vs为（）。A...
单项选择题金属-绝缘层-p型半导体构成的理想MIS结构，当在半导体上施加一个相对于金属的负电压时，则表面势Vs为（）。
A.正B.负C.零D.无法判断
若不考虑镜像力和隧道效应，则金属半导体接触的势垒高度将（），反向电流将（）。A.降低；降低B.降低；升高C.升...
单项选择题若不考虑镜像力和隧道效应，则金属半导体接触的势垒高度将（），反向电流将（）。
A.降低；降低B.降低；升高C.升高；降低D.升高；升高
对于n型半导体构成的非理想MIS结构，在（）条件下半导体表面达到强反型。A.高频B.低频C.VG=Vi+2Vs...
单项选择题对于n型半导体构成的非理想MIS结构，在（）条件下半导体表面达到强反型。
A.高频B.低频C.VG=Vi+2VsD.VG=Vi+2Vs+VFB
