热氧化制备二氧化硅的质量比CVD差。

CVD过程中，化学反应发生在腔室中。

判断题CVD过程中，化学反应发生在腔室中。

CVD淀积二氧化硅薄膜不会消耗硅片自己的硅。

判断题CVD淀积二氧化硅薄膜不会消耗硅片自己的硅。

APCVD成膜速度快，可用于制备较厚的薄膜。

判断题APCVD成膜速度快，可用于制备较厚的薄膜。