CVD淀积二氧化硅薄膜不会消耗硅片自己的硅。

APCVD成膜速度快，可用于制备较厚的薄膜。

判断题APCVD成膜速度快，可用于制备较厚的薄膜。

CVD常用于淀积介质薄膜。

判断题CVD常用于淀积介质薄膜。

VPE过程其实就是一种CVD的过程。

判断题VPE过程其实就是一种CVD的过程。