CVD过程中，化学反应发生在腔室中。

CVD淀积二氧化硅薄膜不会消耗硅片自己的硅。

判断题CVD淀积二氧化硅薄膜不会消耗硅片自己的硅。

APCVD成膜速度快，可用于制备较厚的薄膜。

判断题APCVD成膜速度快，可用于制备较厚的薄膜。

CVD常用于淀积介质薄膜。

判断题CVD常用于淀积介质薄膜。